创新交汇:英飞凌Coolsic™ MOSFET G2 与永铭薄膜电容器的技术协同

永铭薄膜电容器完美适配英飞凌

CoolSic™ MOSFET G2

英飞凌推出的新一代碳化硅CoolSic™ MOSFET G2正在引领电源管理领域的革新。永铭薄膜电容器凭借低ESR设计、高额定电压、低漏电流、高温稳定性和高容量密度等特点，可以为该产品提供强有力的支持，助力其实现高效、高性能和高可靠性，使其成为电子设备功率转换的全新解决方案。

永铭薄膜电容器特点及优势

低ESR:

永铭薄膜电容器的低ESR设计使其能够有效地处理电源中的高频噪声，这与CoolSic™ MOSFET G2的低开关损耗相辅相成。

高额电压&低漏电：

永铭薄膜电容器的高额定电压和低漏电流特性，与CoolSic™ MOSFET G2的高温稳定性相得益彰，为系统在各种恶劣环境下保持稳定工作提供了有力支持。

高温稳定：

永铭薄膜电容器的高温稳定性与CoolSic™ MOSFET G2的优异热管理特性相结合，进一步提升了系统的可靠性和稳定性。

高容量密度：

薄膜电容器的高容量密度也为系统设计提供了更大的灵活性和空间利用率。

总结

永铭薄膜电容器作为英飞凌CoolSic™ MOSFET G2的理想搭档，展现出巨大潜力。两者结合提升了系统可靠性和性能，为电子设备提供更出色的支持。